Выращен самый тонкий полупроводник

Ученые из Корнеллского университета продемонстрировали ошеломляющий успех в выращивании полупроводников. Для этого исследователи применили используемую в промышленности методику «химическое осаждение паров металлоорганических соединений». В ходе экспериментов определилась идеальная среда для роста пленки из дисульфида молибдена - необходимым оказались сухие условие. Выращенная пленка сохраняет свойства монокристаллов. Ширина полученного полупроводника в лаборатории Цзивуна Парка составляет около 10 см, а толщина – три атома.